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二 | 当前,HBM通过TSV(硅通孔)技术将多层DRAM芯片堆叠于基础裸片之上,最高可支持16层堆叠。

三 | HBM与计算模块(XPU,涵盖GPU、TPU等)相互独立,通过2.5D封装共同安装于同一中介层。
每个HBM模块配备1024位I/O接口(共16通道),通过物理接口层(PHY)与XPU相连。而下一代HBM4将首次将I/O接口扩展至2048位,这将是自2015年HBM问世以来的最大规格变革。 在封装工艺上,目前主要存在两大技术路径:热压键合配合非导电膜(TC+NCF)和整体回流焊配合模塑底部填充(MR+MUF)。

四 | 前者在应对芯片翘曲方面更具优势,但热阻较高且生产效率偏低;后者生产效率更高、热阻更低,却更易出现翘曲及间隙填充缺陷。
面向未来,SK海力士计划引入混合键合技术,以消除芯片堆叠中的凸块并缩小间距。同时,公司正在开发名为“I-HBM”的局部散热技术(类似三星的HPB方案),旨在优化传热路径,更高效地分散热量,为更高层数的堆叠铺路。 在2.5D封装解决方案方面,SK海力士目前已在传统CoWoS-L、CoWoS-R和CoWoS-S之外,新增了英特尔的EMIB技术,形成更丰富的异构集成选项。

五 | 此外,市场传言SK海力士与英特尔有望在存储领域组建合资公司,进一步深化合作。同时,与三星类似,SK海力士也在积极推进3D垂直堆叠方案,将HBM直接置于计算模块之上,以突破现有封装架构的带宽和能效瓶颈。

六 |
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Published on:17:57:45